Запропоновано метод моделювання даних з пропусками послідовністю кривих, який є узагальненням сингулярного розкладання матриць з пропусками. Отримані залежності екстраполюються з використанням формул Карлемана. Метод інтерпретовано як конвеєр нейронів.

Розглянуто основні проблеми та сучасні тенденції розвитку нейроінформатики.

Ключ. слова: photoconversion efficiency, silicon solar cells, concentrated illumination
Індекс рубрикатора НБУВ: З264.545

Рубрики:

Кремнієві перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: photocurrent collection, contact grid, specific power of photoconversion
Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У межах самоузгодженого підходу проаналізовано закономірності впливу на поверхневі рекомбінаційні втрати (ПРВ) величини та знака поверхневого заряду, параметрів рекомбінаційних центрів межі поділу діелектрик - напівпровідник, концентрації легуючих домішок в емітері та в базовій області сонячного елемента (СЕ), а також рівня ін'єкції (РІ) в базі та в емітері. Показано, що пасивація поверхні діелектричним шаром, що містить вбудований заряд того ж знака, що й основні носії заряду в прилеглому напівпровідниковому шарі, може призвести до катастрофічного збільшення ПРВ. У той же час у разі утворення приповерхневих шарів збагачення чи інверсії ПРВ у випадку малих РІ істотно знижуються. Залежно від величини та знака поверхневого заряду характер залежності ефективної швидкості поверхневої рекомбінації (ПР) від РІ нерівноважних носіїв заряду може бути як спадним, так і зростаючим. В області максимально великих РІ ефективна швидкість ПР перестає залежати від РІ та конструктивного виконання СЕ та визначається винятково параметрами поверхневих рекомбінаційних центрів.

Дослідження термічної декомпозиції фосфіду індію та морфологічних змін поверхні проведено за допомогою Оже-електронної спектроскопії, мас-спектроскопії та сканувального електронного мікроскопа. Вплив атомарного водню на процес декомпозиції фосфіду індію, виникнення та ріст індієвих островків визначено завдяки порівнянню з подібними процесами за умов вакууму.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.8

Рубрики:

Органічні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.31 + З851.122.2

Рубрики:

Германій, кремній та їхні сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено спектри фотолюмінесценії в пластично деформованих кристалах ZnS:Mn. Показано, що процеси пластичної деформації обумовлюють зміну кількісного співвідношення між різними типами марганцевих центрів світіння внаслідок перебудови найближчого оточення. Після розкладу інтегральних спектрів фотолюмінесценції на індивідуальні смуги фотолюмінесценції за допомогою функції розподілу Гаусса встановлено характер зміни співвідношення між марганцевими центрами фотолюмінесценції різних типів. Виявлено індивідуальну смугу з максимумом в області 618 - 620 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Основною метою цієї дослідницької роботи є обгрунтування необхідності міжнародної співпраці українських закладів вищої освіти як важливого чинника реформування та модернізації національної системи освіти, її успішної інтеграції у світовий освітній простір і підвищення конкурентоздатності на ринку освітніх послуг. Базовим методом у дослідженні є системний підхід. З метою формування теоретичного узагальнення та висновків використано методи наукової абстракції, аналізу та синтезу; для наочної ілюстрації досліджуваних економічних явищ і процесів - графічно-аналітичний метод. Інтернаціоналізація вищої освіти є одним із основних напрямків нової концепції реформування вищої освіти України. Нові запити та потреби на ринку освітніх послуг, зростання конкуренції між закладами вищої освіти, впровадження нововведень в освітній процес вимагають зміни підходів до реформування у сфері вищої освіти з метою підвищення якості. Міжнародне співробітництво в Державному університеті інфраструктури та технологій розглядається як процес формування та розвитку рівноправних і взаємовигідних партнерських відносин між освітніми установами різних країн. Міжнародне співробітництво надасть Державному університету інфраструктури та технологій можливість рівноправної та повноцінної участі в міжнародних проєктах, збільшить кількість іноземних студентів, залучить іноземних викладачів, щоб стати повністю визнаним у світі університетом, який забезпечує високу якість освіти.